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多孔金字塔型黑硅电极的制备及其光电性能研究

更新时间:2015-11-24

【摘要】介绍了一种不需要抗反射层的多孔黑硅的制备方法.通过两步法在倍硅上合成得到具有梯度折射的多孔金字塔型表面,该表面能有效降低硅片对太阳光的反射,对可见光区太阳光的反射率可降至2. 24%,因此,有利于光电转换效率的提高.I-V曲线测试表明:多孔金字塔型硅电极的最大电流密度可达0. 969 fflA/cffl2,光电转换效率为22.3%.

【关键词】

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