亚稳态Bi2 SiOs晶体的制备及析晶热力学分析

更新时间:2015-11-24

【摘要】采用熔体冷却法制备了亚稳态Bi2 SiOs硅酸铋晶体，利用XRD、SEM等袁征分析了所制备Bi2 SiOs多晶的晶型及形貌特征．通过系统在相平衡温度时的可逆相变过程，计算了析晶过程的△H、△S和△G.实验结果表明：组成中当摩尔比Bi2 03/Si02为1:1时，所生成的Bi2 SiOs晶体在2h保温时间后仍没有发生晶型转变．所制备的单相Bi2 SiOs晶粒呈现层状生长，且层与层之间呈现紧密生长．热力学分析表明：当温度rr=1、。-△T一973. 15 K时，△G一-7. 478 KJ<O，说明从基础熔体中析出Bi2 SiOs的过程是自发进行的；同时，熔体中的分相有利于Bi2 SiOs晶体的析出．

【关键词】 硅酸铋 亚稳态 析晶热力学

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